RIE250-2設備主要原理：通入刻蝕室的工藝氣體分子分解電離，產生等離子體。由等離子體中的部分活性基團與被刻蝕材料表面發生化學反應;通過脈沖/射頻電源，使等離子體中的正離子對被刻蝕材料表面進行物理轟擊，從而以物理、化學相結合的方法對材料表面進行處理，達到對產品表面進行清潔、改性、刻蝕的目的。
?雙離子源可通過兩側氣缸升降，便于保養維修;
?超低刻蝕溫度，滿足不同場合溫度要求，可避免熱應力和基材變形;
?采用專利的離子束清洗源和獨有的放電技術，等離子體密度高，刻蝕清洗效果好，具有良好的均勻性;
?報警及保護:全面安全防護包括:溫度安全防護功能、過載防護功能、短路斷路報警防護功能，各種誤操作保護功能。
可刻蝕材料：金屬，非金屬，合金，半導體（單晶硅、多晶硅、SiO2），金屬氧化物，氮化物，碳化物，陶瓷，聚合物，超導材料等；可退碳基薄膜，可作為DLC/Ta-C薄膜的退膜機使用；可應用在半導體、光學、科研等領域。
