該純離子鍍膜設備(如圖)主要是集純離子鍍膜技術(PIC)、高能離子束清洗技術(IONBEAM)和磁控濺射技術(SPUTTER)三種技術融合于一體，其獨有的純離子鍍膜源核心技術，利用高效的電磁過濾系統和電磁掃描系統，有效過濾掉中性粒子、大顆粒離子團等雜質，大幅度提高等離子體束流純度，使膜層更加致密，硬度更高，耐磨性和耐腐蝕性也更優異。可以鍍制厚度范圍從100nm-28μm的超級類金剛石Ta-C膜層。
?電磁過濾系統可過濾掉大顆粒離子團和原子團，膜層致密、粘附性好；
?電磁掃描系統，可定點定時控制等離子體的束流方向，極大改善涂層均勻性，整爐膜層均勻性控制±5%以內；
?可鍍涂層厚度范圍廣：可鍍100nm-28μm的超級類金剛石Ta-C膜層。
消費電子、交通工具、醫療器械、高校及科研院所、工業耗材制造等行業。
PIS624設備鍍制膜層圖集（部分）
