PIS212型純離子鍍膜設備(如圖)集純離子鍍膜技術(PIC)、高能離子束清洗技術(IONBEAM)和磁控濺射技術(SPUTTER)三種技術融合于一體，設備利用高效的電磁過濾系統和電磁掃描系統，有效過濾掉中性粒子、大顆粒離子團等雜質，大幅度提高等離子束流純度，使膜層更加致密，硬度更高，耐磨性和耐腐蝕性也更優異。可以鍍制厚度范圍從100nm-5μm的超級類金剛石Ta-C膜層。
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設備型號 |
PIS212 |
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鍍膜源類型 |
純離子鍍膜源、高能離子束清洗源、磁控濺射源 |
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極限真空（清潔空載條件下）/漏率 |
≤5×10-4Pa/≤5×10-10Pa?m3/s |
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抽氣速率 |
<30分鐘(真空度5x10-3Pa，空載) |
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有效鍍膜范圍(mm) |
Φ600*H300 |
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可選配套電源 |
直流、脈沖直流、中頻、射頻、高功率脈沖等 |
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工藝氣體 |
Ar，C2H2，N2，O2等 |
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靶材匹配 |
石墨靶、Cr、Ti、Ni、Cu、Ta、Zr、W等金屬單質或合金靶 |
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真空系統 |
機械泵+羅茨泵+分子泵 |
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控制方式 |
PLC+上位機 |
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設備功率 |
30KW |
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設備占地（mm） |
L4150×W2500×H2750 |
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配套要求 |
循環水壓力：0.2-0.4MPa，壓縮空氣：0.6-0.7MPa |
消費電子、交通工具、醫療器械、高校及科研院所、工業耗材制造等行業。
PIS212設備鍍制膜層圖集（部分）
