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Ta-C涂層
Ta-C(Tetrahedral Amorphous Carbon,四面體非晶碳)涂層,是純源用純離子核心鍍膜技術制備的一種無氫DLC(類金剛石)涂層,其膜層的SP3鍵含量可以達到70%以上,具有極高的硬度、極低的摩擦系數、良好的化學惰性等優點,其物理化學性質和金剛石極其類似,廣泛應用于各工業領域。
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DLC涂層
含氫類金剛石(DLC)涂層的主要成份是碳,是一種兼有高硬度與優異摩擦性能的非晶體硬質薄膜由石墨(SP2)與金剛石(SP3)組成。SP3金剛石的碳原子在空間構成連續、堅固的骨架結構,所以堅硬,成正八面體晶狀體。SP2石墨的碳原子呈平面層狀結構,層與層之間的作用力小,所以很軟。涂層可以在較低工藝溫度下獲得,工藝溫度最低可以低于80°C,從而可以有效解決材料熱變形等缺陷。
具有優異的摩擦性能,在工業上得到廣泛應用。特別是在無潤滑劑情況下,摩擦系數也很低(μ=0.005~0.2)。含氫類金剛石(DLC)涂層摩擦系數小,而且抗粘附性好,硬度高、耐磨性優良。
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PE-N涂層
PE-N將公司最新技術與多弧離子鍍相結合,具備多弧離子鍍的特性同時,又有效提升了薄膜的質量和性能,大幅度細化涂層顆粒的、提升涂層的硬度及表面的光澤度。
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N涂層
N涂層:多弧離子鍍金屬氮化物是一種高效且先進的表面涂層技術。多弧離子鍍技術(Multi-Arc Ion Plating, MAIP)是一種在材料表面形成硬涂層的技術,它利用電弧放電生成的等離子體來沉積薄膜。能夠制備出具有極高硬度、良好附著力以及優異的耐磨性和耐腐蝕性的涂層
多弧離子鍍金屬氮化物的沉積過程是在高真空條件下進行的。在此過程中,電弧源產生的金屬等離子體在磁場的引導下向襯底移動,并在襯底上形成薄膜。這一技術的特點包括高沉積速率、良好的膜層均勻性和致密性,以及對襯底材料的廣泛適用性
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